台积电:计划2024年引入ASML最新一代EUV光刻机
澎湃新闻记者 周玲
台积电、台积英特尔、电计代三星等集成电路代工厂正在争夺最新一代光刻机。划年
6月17日,引入台积电高管在美国硅谷举行的最新技术研讨会上表示,该公司将在2024年引入荷兰厂商阿斯麦(ASML)的光刻最新一代EUV(极紫外光)光刻机。
台积电研发高级副总裁米玉杰在上述研讨会上表示:“展望未来,台积台积电将在2024年引入高数值孔径的电计代极紫外(High-NA EUV)光刻机,为的划年是开发客户所需相关基础设施和模式解决方案,进一步推动创新。引入”
米玉杰并未说明这项设备何时将用于量产。最新不过,光刻台积电业务开发资深副总经理张晓强随后说明,台积台积电2024年还不准备运用新的电计代高数值孔径EUV工具来生产,主要使用目的划年是跟伙伴进行研究。
随着芯片工艺越来越复杂先进,无论台积电、三星还是英特尔都需要采用EUV光刻机。
今年早些时候,ASML对外表示,正在与其合作伙伴一起开发下一代High-NA光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列。据了解,新High-NA光刻机具有0.55NA(High-NA )的透镜,分辨率达8纳米,将非常复杂、非常庞大且价格昂贵,更有利于3纳米及以上制程的工艺制造。
路透社也曾报道,ASML公司已经获得了 5 个 High-NA 产品的试点订单,预计将于2024年交付,并有着“超过 5 个”订单需要从2025年开始交付的量产型号。
之前对EUV技术不看好的英特尔公司现在积极向EUV技术靠拢,并希望能够率先采用最新一代High-NA光刻机。
英特尔高层之前对外表示,该公司会成为首发用户,抢下了第一台0.55NA的EUV光刻机,而且首批6台中英特尔也占了大头,台积电、三星会慢一波。英特尔还表示,2025年将开始以高数值孔径EUV进行生产。
日前正在欧洲访问的三星集团副会长、三星集团实际控制人李在镕拜访ASML。6月17日,韩媒体报道称,李在镕在荷兰访问ASML之后,已经确保取得额外的极紫外光(EUV)微影设备。
参加台积电上述论坛的产业调查机构TechInsights半导体经济学家赫奇森(G. Dan Hutcheson)说:“台积电2024年拥有这种设备的重要性,在于他们更快速接触到最先进技术。”
赫奇森指出,EUV技术已成为走在尖端的关键,高数值孔径EUV则是推进半导体技术的下一个重大创新。
台积电北美技术论坛连续两年以线上方式举行,今年于美国加州圣塔克拉拉市恢复举办实体论坛。
台积电在论坛上首度推出采用纳米片电晶体的新一代先进2纳米(N2)制程技术,以及支援N3与N3E制程的独特TSMC FINFLEX技术,将成为全球第1家率先提供2纳米制程代工服务的晶圆厂。
(责任编辑:焦点)
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